제1회 페어차일드코리아반도체 대학(원)생 우수 논문 대상


● 공모개요

　- 페어차일드코리아는 미국의 대표적인 반도체 회사인 페어차일드가 직접 투자한 국
    내 최대의 전력용 반도체 전문회사로 경기도 부천에 사옥과 생산시설 및 부대시설
    이,서울과 구미에 영업사무소, 경기도 화성에 물류센터가 있습니다.

　　이번 페어차일드코리아에서는 대학(원)생을 대상으로 반도체와 관련한 우수논문을

　　모집하고 있습니다. 현재 전력용 반도체산업은 국가기간산업으로서 각 산업분야에
    서 두루 활용되어지고 있습니다. 이에 페어차일드코리아는 전력용 반도체와 관련
    된 주제로서 현재와 미래의 반도체를 조영하는 참신하고 개성있는 논문을 모집합
    니다. 패기있는 미래 인재들의 많은 참여를 바랍니다.

● 응모자격

　- 전국 4년제 대학생 및 대학원생(휴학생 포함)

● 접수기간

　- 2006년 9월 4일(월) ~ 9월 29일(금)

● 접수방법

　- 온라인 접수

● 접수처

　- 행사 홈페이지(www.fairchildsemi.com/kr/contest)

● 첨부파일

　- 논문원본 파일 : A4 30매 이내 분량, Word파일, 글자크기 11포인트

　- 논문요약본 파일 : A4 2매 분량, Word파일, 글자크기 11포인트

　- 재학(또는 휴학)증명서 파일(JPG 파일)

● 논문주제

　- Power Electronics :

　　Converter Topology, Modeling, Simulation, Power Factor Correction,

　　Power Quality.

　- Materials and Processes :

　　Crystal Growth, Doping, Lifetime Control, Passivation, Characterization, Si,

　　GaAs, SiC, GaN, Diamond.

　- Semiconductor CAD/Simulation :

　　Process, Device, & Circuit Simulation, Layout, Verification Tools,

　　Device Physics, Device Failure Modes, Reliability.

　- Discrete Power Devices :

　　Diodes, MOSFETS, BJTs, IGBTs, Thyristors, Intelligent Power Module,

　　Novel device structures in Si, SiC, GaAs & Diamond.

　- High Voltage and Low Voltage Power ICs :

　　Isolation Techniques, SOI, Cirquit Design, Device Technology, Monolithic vs.

　　Hybrid.

　- RF and High Frequency Power Devices and Circuits :

　　Devices for linear power amplification in the 1-10 GHz range in Si, GaAs,
    SiC,GaN and Diamond Devices for High Frequency Power Conversion.

　- Packaging :

　　Novel Packaging Techniques, Stress and Thermal Simulation,

　　Thermal Management, High Voltage and Power Dissipation Issues.

　- Power Application :

　　Automotive Electronics, Telecommunications, Display Drivers, Audio,

　　Power Systems, Power Supply, EV, Traction, Elevators, Motor Control,
    Battery,Wind and Solar Systems, Power Factor Correction, EMC, Power
    Management.

　- Device Physics :

　　High voltage devices including device structure, device layout, SOA,

　　Temperature Characteristics, Effect of Surface Status : MOSFET, IGBT, SIC,

　　Bipolar Transistor, BCDMOS, DMOS, etc.

　- Process :

　　Process technology including process architecture, SOI, shallow and deep
    trench

　　structure : High Voltage Device Process, SOI Power Device Process,

　　Smart Power IC process, Thin Film Technology, etc. / Material study :
    formation and assessment method of SOI, Silicon and SiC wafer : Gettering
    method,defect control and electric characteristics / Process integration
    technology :planarization, cleaning, Thin film, wafer thinning and defect
    suppression study.

　- Reliability :

　　Reliability study including EOS/ESD, breakdown voltage shift under the hot
    temp and high bias, Test method and measurement Technology, etc. Passivation

　　material study : film characterization and electric impacts.

　- Etc : 미래 반도체 산업이 나아갈 방향

● 수상작 발표

　- 2006년 10월 23일(월), 행사홈페이지 공지 및 개별통보

● 시상내역

　- 대상(1편) : 상금 500만원 및 상패

　- 금상(2편) : 상금 각 300만원 및 상패

　- 은상(3편) : 상금 각 200만원 및 상패

　- 동상(5편) : 상금 각 100만원 및 상패

　※ 입사 희망시 서류전형 면제 및 10% 가산점 부여

● 시상식

　- 2006년 11월 4일(토) 오후 2시

● 기타사항

　- 제출된 서류는 일체 반환 하지 않음.

　- 입상작에 대한 저작권은 페어차일드 코리아에 있음.

　- 이미 발표된 논문이나 학술지에 소개된 논문은 제외함.

● 행사문의

　- 행사 홈페이지 : www.fairchildsemi.com/kr/contest

　- 이메일 : yoni@fairchildsemi.co.kr